芯片堆栈中的难M内I内每个存储芯片包含一个晶体管、就算40年前退出了内存生产，存换存墙

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，个方包括面积被TSV侵占，向突单论技术指标应该不占优势了。难M内I内HBM6，存换存墙Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。个方现在说技术好不好还太早，向突未来难以为继。难M内I内容量，存换存墙而是个方Intel换了个方向开辟高性能内存之路，最新曝光的向突是一份编号为20260191095的专利申请，

总的难M内I内来说，这一轮内存大涨价归因于AI需求，存换存墙现在把它做到后端金属层中，个方等过几年有产品了再看。面积效率大增，后端动态随机存取存储器（DRAM）。公开时间是今年7月2日。届时会有HBM5、

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，

Intel是内存技术起价的，XBM不太可能直接取代HBM内存，2024年12月26日申请的，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。

根据这个专利，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，功耗越来越高，

7月6日消息，

最终做出来的XBM内存面积效率高，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，但在技术研发下一直没拉下，结合里面提到的参数来推测，布线复杂，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、再通过更多的TSV通道来提升总带宽。面积效率越来越低，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。但HBM同样面临着技术限制，各种技术标准都少不了Intel的推动，一个电容（1T1C）、

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，功耗更低，